دیتاشیت IPB039N10N3 G

IPB039N10N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB039N10N3 G
حجم فایل 54.846 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPB039N10N3 G

IPB039N10N3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB039N10N3 G
  • Power Dissipation (Pd): 214W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@160uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.9mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263-6
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه